电感耦合等离子刻蚀机

1)设备配有通过自动匹配网络控制的两套独立的13.5MHz射频电源,两套电源可以独立自动控制,等离子体密度和轰击离子的能量可以单独调控。 2)高效率的涡轮分子泵和前级泵可以迅速地把废气和挥发性刻蚀产物抽走,保持腔室内所需要的低工作气压。刻蚀真空的本底真空可达4*10e-7 torr以下。 3)压强自动控制系统（APC）可实时精确控制刻蚀腔体内的真空度，从而具有较高的工艺控制精度。 4)基片温控系统可以对基片的温度进行控制,满足不同基片温度下刻蚀的需要,另一套温控系统可以对腔室的侧壁温度进行控制。 5)双腔室的结构以及自动送片装置使得反应刻蚀腔室不直接暴露在大气压下,避免了水汽等有害气体进入刻蚀腔。 6)石英样品台：可以一次刻蚀多个样品。 7)尾气处理系统，保证刻蚀有参与气体得到有效安全的处理。 8)人机交互控制界面，刻蚀过程可按照预设程序自动运行。 目前该系统对GaN等材料的刻蚀速率可达到5kA/min以上，可获得大于80°的侧面形貌，同时刻蚀表面粗糙也可控制在+/-1nm以下。为制作高水平的光电器件提供良好的服务平台。

电感耦合等离子体（ICP）刻蚀系统是中心重要器件加工设备。它是利用两套独立的射频发生器激发刻蚀气体产生高密度和高能量的等离子体，轰击待刻蚀材料表面达到物理刻蚀与化学刻蚀的双重效果。相比与其他刻蚀技术ICP刻蚀技术具有刻速快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和刻蚀表面平整光滑等优点，在微光电子器件加工与制作方面发挥着不可替代的作用。该系统在Ⅲ- Ⅴ族化合物等材料的刻蚀方面获得了很好的效果。

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客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。