电感耦合等离子刻蚀机

1、Si etch. Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1 Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 2、SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 3、Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边

HAASRODE-E200A通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容SiO2和SiN，SI刻蚀工艺，实现二维材料的刻蚀加工

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。