原子层沉积系统

1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、更小的晶圆和不规则碎片； 2、工艺温度：室温–500°C，控制精度在±1 ℃； 3、设备配3路液态源，分别为TMA、H2O、BDEAS，配2路加热源，分别为TEMAHf和TiCl4，最高加热温度为200 ℃，控制精度为±1 ℃，配2路气体源，分别为NH3和O3； 4、可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN； 5、膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%； 6、真空腔外壁为全冷壁，在设备的正常运行时，真空腔外壁温度不超过60 ℃； 7、腔体漏率低于10-7 mbar·L/s； 8、正常的工艺操作过程中真空腔压力始终大于反应腔压力，以防止前驱体的泄漏。

1、 膜厚控制精度±1A； 2、 膜层为原子层级别的堆积，致密性好； 3、 可成6种膜，分别为SiO2、HfO2、TiO2、TiN、Al2O3、AlN； 4、 可支持最大8寸及以下样品成膜，包括不规则碎片。

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。