等离子深硅刻蚀机

1. ICP主射频功率：500-2800W；副射频功率：500-2800W；下电极LF功率：40-400W；匹配稳定时间＜3 s ； 2. 工艺气体：C4F8、SF6、O2和Ar； 3. 样品尺寸：8英寸，可向下兼容； 4. 下电极温度范围：-20～40℃； 5. 刻蚀材料：用于硅片的高深宽比刻蚀，推荐PR掩膜； 6. 刻蚀能力： （1）工艺兼容性良好，基础工艺可兼容50μm-1.2mm图形，角度垂直，刻蚀速率＞8μm/min，与PR选择比＞70； （2）高深宽比，TSV 直径10μm可用PR掩膜刻蚀150μm，TSV直径2μm 可用PR掩膜刻蚀45μm，角度垂直； （3）小线宽极限刻蚀：Trench槽宽0.8μm用PR掩膜刻蚀32μm 7.刻蚀均匀性：≤5%

用于硅材料的高速，深度，大深宽比刻蚀。比如：三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺；MEMS电容式惯性传感器；MEMS器件的深孔或深槽刻蚀等。

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。