晶圆级对准光刻机

1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、2英寸或更小的晶圆和不规则碎片； 2、LED光源，波长范围：350~450nm，可调整范围10%-100%；光强≥35 mW/cm2 (UV365nm )（8英寸范围内）；光强均匀性：≤±2.5% （8英寸范围@365nm） 3、套刻精度：正面套刻精度≤±0.5um；背面套刻精度≤±1um 4、紫外曝光分辨率(200mm 样品，胶厚1 um)：真空接触下：分辨率≤0.8um；软接触模式下：分辨率≤2.5um；100um的曝光距离下，分辨率≤8um 5、支持恒定功率、恒定剂量曝光

SUSS MicroTec 晶圆级对准光刻机以其成熟的曝光光学系统成为高品质和高对准精度的代名词。产品线从科研和开发设备，到全自动大规模生产系统。SUSS MicroTec 的掩模对准光刻系统主要用于 MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。SUSS MicroTec 的 MA/BA8 Gen4 可处理 200 mm 及以下各种材料、任意厚度的衬底和晶圆。借助大量附加功能，掩模对准光刻不仅能满足多样化的工艺要求，还具有灵活的配置选项。MA/BA8 Gen4是最新一代的半自动光刻对准机，并引进了新的平台系统。此机型的设计符合人体工程学，用户界面友好，成本低，占用面积小，最适合于学术研究及小批量生产使用。

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。