飞行时间-二次离子质谱

分析用Bi离子源： Bi液态金属团簇离子枪，可以提供BiMn分析离子束 加速电压：30 keV 离子束流：＞40nA 最大重复速率：50 kHz (对于所有操作模式) 脉冲宽度：≤0.7ns(FWHM) 脉冲离子束流：≥40 pA 最小脉冲束流直径：≤40 nm（高分辨成像模式）； ≤0.4um（高质量分辨率模式） 可以提供快速成像模式，最小束斑直径：≤90nm @ 350pA DC 可以提供Delayed Extraction模式，最小束斑直径：≤90nm @ 350pA DC，质量分辨率（m > 50 u）: > 9000 (FWHM) 质量分析器： 质量分析器类型：非线性反射式质量分析器，具有3米飞行路径。 低质量时质量分辨率(SiH+：29amu)：≥17000 (半峰宽；100%传输率) 高质量时质量分辨率(＞200amu)：≥26000 (半峰宽；100%传输率) 质量范围：1～12000amu以上 质量精度：< 1 mu for m< 100 u; < 10 ppm for m > 100 u 灵敏度> 8.0×108 Al+/nC @ 7000（FWHM） 信噪比(质量数28u的Si信号/质量数28.5u的信号)：> 2×105 线性响应范围内最大计数率 > 1×107 次/秒（带有EDR线性接收扩展） 接收角（Delayed Extraction模式下测量125微米的导线直径）： > 100 微米

飞行时间二次离子质谱仪，简称ToF-SIMS。使用一次脉冲离子轰击固体材料表面，通过测定表面被激发出的二次离子的质荷比探测材料的成分和结构。ToF-SIMS具有纳米级的空间分辨率，可精确确定样品表面的组分构成。配合样品表面的扫描和剥离，可以得到样品表面及三维的成分分布图。可以分析导体，半导体，绝缘材料，适用于有机和无机物的分析。ToF-SIMS对痕量组分能进行深度剖析，可在纳米尺度上观察材料的纵向特征，也可以对各种元素的同位素进行分析和对低原子序数的元素(如氢、锂、铍等)进行分析。

新材料

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。