化学气相沉积CVD

1、适用于最大可兼容直径4英寸晶圆及以下或方片150x100mm及以下、更小的晶圆和不规则碎片； 2、腔内温度最高可达1100℃； 3、本底真空：≤20mTorr； 4、工艺可控真空范围：200mTorr~500mTorr（任意可调） 5、1000Torr和10Torr双压力计可选，可实现常压、低压工艺

1、在铜箔、镍片等催化性基底上以高温~1000℃热分解气源方式直接沉积高质量单层石墨烯 2、可使用等离子功能，在低温~400℃进行石墨烯沉积

新材料

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。