电感耦合等离子体增强原子层沉积系统（PEALD）

1、适用于最大8吋晶圆、并向下兼容6吋、4吋、更小的晶圆和不规则碎片； 2、沉积温度：室温~+500°C；典型沉积温度：+350°C/+400°C； 3、本底真空：≤1E-6 torr； 4、ICP功率源13.56MHz，300W； 5、厚均匀性（片内）：≤±3% (8”)；膜厚重复性（片间）：≤±3%；

​1、在半导体衬底（例如硅、化合物半导体）或有机衬底上沉积高质量、低应力薄膜、耐刻蚀的SiN薄膜； 2、可实现高深宽比（50:1）SiN薄膜填充

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。