脉冲激光沉积与磁控溅射联合的量子材料原位生长系统

PLD 腔室和磁控腔室本底真空：优于 2 x 10-8 mbar 样品台控温： 最高 900 ˚C，稳定性： ±1°C： 温差＜ 3% PLD 样品台: 最大基片尺寸-2英寸; 基片移动范围-XY：±5 mm，Z：50 mm；PHI角：可360度旋转，速率≤10 RPM， 精度 0.1° PLD 靶台:φ1英寸×6个；靶材可自转、公转和摆动；Z：50mm PLD腔室配有高压反射高能电子衍射（RHEED）系统，最高工作压强0.5 mbar 磁控样品台：最大基片尺寸-2英寸; 基片移动范围-XY：±5 mm，Z：35-125 mm，PHI角：可360度旋转，速率≤10 RPM， 精度 0.1° 磁控靶台：6 套靶枪（2套强磁靶枪，4套标准靶枪；DC/射频），靶头可弯折，精度 0.1° 进样腔（连接腔）：极限真空度-优于 5 x 10-7 mbar；可放3个PLD靶和2个基片 准分子激光器：Coherent COMPex 102 型：248 nm， 400 mJ, 20 ns

该仪器设备的购买将实现高质量量子材料在原子尺度上的精确设计和生长以及异质材料（氧化物、金属、半导体之间的异质结构）的原位结合和构筑提供必要的工具。该设备具有的原子尺度生长能力及异质材料的真空原位生长能力将为澄清凝聚态物理研究中的材料界面角色、材料微观结构对新奇物态的影响等核心物理科学问题提供可控的研究手段，从而为物态调控及新型低能耗电子器件开发提供坚实的基础。

新材料

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。