FIB-SEM双束聚焦扫描电镜系统

1. 离子束及辅助气体注入系统技术要求： 1.1离子源种类：液态镓 (Ga) 离子源 1.2交叉点分辨率：≤ 2.5nm @ 30kV (在SEM-FIB的重合点) 1.3加速电压：500V - 30 kV 1.4束流强度： 1pA - 100nA 1.5离子源寿命：≥ 1000小时 1.6 可在离子束、电子束诱导下进行Pt和C的沉积 1.7离子束稳定时间≥72h 1.8 配备15孔光阑，压电马达驱动 1.9离子束视场：离子束：1 mm FOV@8 kV @束交叉点 2. 电子束技术要求： 2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝 2.2在最佳工作距离分辨率：0.6 nm@15 kV； 1.0nm@1kV 2.3加速电压：200V－30KV 连续可调；对应着陆电压20eV-30ekV 2.4束流强度：2pA - 400nA 2.5 电子束视场： 4.3mm @ WD 5mm，7.7mm @ WD 30mm 3. 探测器： 3.1镜筒内探测器可形成二次电子和背散射电子像 3.2样品室二次电子探测器 3.3样品室可伸缩分割型背散射电子DBS探测器 3.4 STEM探测器 3.5样品室红外CCD相机 3.6一体化集成电子束束流探测器 4. 阴极荧光系统 4.1光谱仪光谱分辨率:≤ 0.1nm(2400刻线光栅，300nm处) 4.2消色差耦合，覆盖光谱范围300-950nm，模块化设计，可拓展至更宽范围（如185-2200nm） 4.3 PMT光电倍增放大管，响应范围:185-870nm，

为开展集成电路封装中的切割，成像和进行3D分析等新技术的研究提供了重要的研究方向。可从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息，从FIB加工上可以实现高质量和高速度的 TEM 薄片样品制备、集成电路解剖分析等具有挑战性的纳米加工任务

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。