注意:本平台为互联网非涉密平台,严禁处理、传输国家秘密。
首页|仪器列表
离子束刻蚀系统

离子束刻蚀系统

Ion beam etching

规格型号:AE4
运行状态: 启用
仪器类型: AE4
仪器认证: 已进行计量认证
参考收费标准: 按相关收费标准执行
服务信息
1. 适用于最大 Φ100mm(4 英寸)样品刻蚀,尺寸向下兼容; 2. Φ100mm(4 英寸)范围内刻蚀不均匀性误差≤±3%; 3. 离 子能量:100~1000 eV; 4. 离子束流:可调范围 10~150 mA;5. 离子源连续工作 100 小时以上,离子束输出性能无明显衰 减; 6. 极限真空度:≤6.67×10-5 Pa; 7. 系统从大气(暴 露大气时充干燥氮气)开始抽气,30 分钟内可达到真空度 5×10-4 Pa; 8. 批次内离子束流和离子能量稳定度 RMS 测试值 不超过±2%/h,不同批次间工艺重复性 95%以上。
适合用于自旋电子器件工艺流程中涉及金属材料的刻蚀。
电子信息
客户提前10天申请,商榷检定日期,检定人员到现场检定,待检定合格后方可使用。
联系方式
林伟南A
17605056003
physlwn@xmu.edu.cn
思明校区 > 物理机电航空大楼 > R114