等离子体增强化学气相沉积系统

"1、适用于最大6英寸晶圆，并向下兼容4英寸及更小不规则片； 2、工作温度：120℃~450°C，典型沉积温度240°C； 3、高频电源频率13.56MHz，高频电源工艺可用范围50~1000W；低频电源频率400KHz，低频电源功率范围50~300W； 4、膜厚均匀性(片内)≤±2%(6'')；膜厚重复性(Run间)≤±2%(6'')；"

"1、工艺腔采用侧向匀流抽气结构，具有使用成本低、片间薄膜均匀性高的特点； 2、工艺类型配置多路气态源，可扩展多种工艺开发，主要用于SiO2、SiNx薄膜的沉积； 3、传输系统由真空双臂机械手、LoadLock 构成， 可实现高效传输、 全自动化生产。整机兼具高产能、自动化、高均匀性、低颗粒度， 高可维护性和可扩展性的特点；"

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。