多腔化合物半导体刻蚀机

1、真空能力： 腔室本底真空：＜0.5mT 腔室漏气率：＜1.0mT/min 工艺控压范围：5-85mT 控压能力：2mT@50sccm Ar（不启辉状态） 工艺控压精度：0.1mT 2、射频系统 ICP射频电源：3000W，13.56Hz 上电极可用功率范围：150~2400W RF射频电源：1500W，13.56Hz 下电极可供功率范围：50~600W 匹配稳定时间：3s 射频精度：±1%设定值或±5W(设定值＞500W) 反射功率：＜3W（5-100W）或3%设定值（设定值＞100W） 3、基座控温 冷水机温控范围：-20~40℃ 基座控温精度：±0.5℃ 基座控温均匀性：±1℃ 4、均匀性 片内＜3%、片间＜3%

高刻蚀速率、高均匀性、颗粒管控能力强、全自动上下片

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。