常温晶圆键合机

常温晶圆键合机： 1、晶圆尺寸：8寸及以下，小片通过贴合或使用冶具固定至8寸硅片/工装实现尺寸兼容。 2、可处理晶圆样品：Si、非晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、钽酸锂、铌酸锂、InP、SiC、GaAs、GaN 等晶圆之间的相互键合；单晶圆厚度：0.35-0.725mm。 3、进样室真空优于9.9E-5 Pa；上料方式：手动上料；传输系统：机械臂自动传输。 4、工艺腔室具备等离子表面活化、多种靶材（Si，Ti等不少于3种）溅射沉积、晶圆对准、室温键合功能，且表面活化、对准与键合在同一真空腔室内原位完成；工艺腔真空度优于9.9E-6 Pa。 5、表面活化方式：真空 FAB 快原子束枪。 6、键合对准参数：光学对准精度：Mark定位优于2 μm。 7、最大压合力可达100 kN，最小25 N，8英寸晶圆面积压力均匀性优于+-5%。 8、常温键合后强度≥1.8J/m2（硅-硅键合）。

高真空室温晶圆键合设备能够保证异质晶圆的高质量集成，键合工艺稳定性高，几乎可以实现任意材料的键合集成，已经在金属、Si、SiC、GaN、GaAs、InP、AlN、蓝宝石、氧化镓、金刚石等材料的键合上得到了广泛应用，为高性能微电子器件、光电子器件和微机电系统制备所需的材料制备等提供了新颖的技术手段。

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。