辉光放电光谱仪

1、用于探测半导体薄膜材料中组分和掺杂元素的深度分布 2、辉光放电采用脉冲式射频光源 3、探测深度从几nm到>200μm，深度分辨率小于1.0nm 4、元素光谱分辨率：<18pm，元素探测精度从亚ppm到100% 5、采用光电倍增管检测器，动态测量范围5×109 6、探测元素包括：H、C、N、O、Si、Mg、Al、In、Ga等 7、可测量样品尺寸覆盖8英寸及其以下尺寸

具备高剥蚀速率、高深度分辨率的表面表征设备，功能多样性、基体效应小、放电过程稳定、多数元素的溅射率相对一致等优点

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。