全自动热原子层沉积系统

1、全自动，可拓展多腔 2、8inch、12inch兼容 3、可装载4种及以上金属前驱体（Al、Hf、Zr、Ti、La、Ta、Si）、H20和两种反应气体（03、NH3），用于Al2O3、HfO2、ZrO2、TaO等介质膜沉积 4、工艺温度150~500℃，控温精度±1℃ 5、工艺压力 ＜10 Torr 6、极限真空＜ 1E-5Torr 7、工艺指标：Thk U%≤2%；Step coverage>90% AR10, CD>80nm；PA ≤50ea@0.09um；Growth Per Cycle ≤1A/cycle；WPH≥6/PM@Thk 40A

用于高k介质薄膜的原子层沉积

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。