多源真空蒸镀设备

一.真空要求 真空室由SUS304不锈钢制成，内部电解抛光处理，减少表面放气；极限真空：9.0×10-5 Pa (经烘烤除气后)；抽气速度：从大气到5×10-4 Pa (≤60 min)；腔体漏率小于5.0*10-9 Pa.m3/s，保压：12小时≤10 Pa。 二.基片要求 基片尺寸：1200*600 mm；基片温度≤65 ℃；基片运动方式采用单次流片或往复运动。 三.蒸发源 2个点源组成一组，用于蒸镀MoO3；线源四组，用于蒸镀有机小分子、C70、C60、BCP等材料，其中，C60和BCP为单线源配置，C70及有机小分子共蒸需配置一组双源共蒸源，一组三源共蒸源。 四.镀膜参数要求 蒸镀速率：0.1~30 A/s；镀膜重复性≤±5%；膜厚均匀性≤±5%；膜厚测量：Inficon膜厚仪或同级品牌。 五.控制系统 控制系统采用 PLC方式，可实现电脑全自动传输样品、抽真空、镀膜、控制膜厚等。

该设备用于采用热蒸发的方法在基底上沉积MoO3、LiF、BCP、C60、C70、有机小分子等有机材料和无机材料。

新材料

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。