低损伤磁控溅射设备

一.真空要求 真空室由SUS304不锈钢制成，内部电解抛光处理，减少表面放气，腔体漏率≤5×10-6 Pa·L/s；极限真空：≤5×10-4 Pa；抽气速度：工艺腔真空室压力从大气到1×10-3 Pa (≤150 min)。 二.基片要求 基片尺寸：1200*600 mm。 三.靶材要求 可用靶材：ITO、Cu、NiOx、SnOx、MoOx等；靶基距：60-80 mm，可调，密封保证。 四.镀膜要求 ITO低损伤镀膜，Cu、NiOx、SnOx、MoOx常规镀膜；膜厚均匀性：≤±5%；重复性（片与片之间）：＜5%；平均片材电阻：≤±5%。基材正面前倾，防止金属粉末附着。 五.控制系统 控制系统配上位机，由PC结合程控PLC来控制，PLC控制和处理所有数字和模拟讯号。

该设备采用磁控溅射的方法在基底上沉积金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其他化学反应薄膜。

新材料

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。