磁控溅射镀膜机

3.设备主要技术指标 3.1腔体尺寸：不小于Φ500mm*H420mm 3.2极限真空度：≤6.7×10-5 Pa 3.3系统漏率：≤5×10-7Pa.l/s 3.4静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa 3.5系统充干燥N2解除真空，短时暴露大气后抽气至9×10-4Pa≤30min。 3.6磁控靶配置：带角度调节Φ4英寸磁控靶3只。角度调节精度：1°，溅射距离调节：80mm-120mm。 3.7工位数与样品数量：Φ8英寸样品1片或小样品数片。 3.8溅射不均匀性 ≤±5％（Φ6英寸范围内） ≤±6％（Φ8英寸范围内） 3.9样品加热：≥600℃；控温精度：1℃；温度均匀性：±1% 3.10工艺气体：Ar、O2 3.11 电源功率  射频1000W，自动匹配。  直流：1000W 3.12 自动压力控制系统：包含。 3.13 控制方式：基于PLC及工控机的全自动、半自动控制方式。 3.14 包含安全报警系统。

1.设备主要功能 1.1通过磁控溅射技术在不同材料衬底上沉积：金属材料、非金属、金属化合物、非金属化合物、半导体材料等薄膜。 1.2射频磁控溅射方式镀膜；直流磁控溅射方式镀膜。 1.3氧化物、氮化物等反应溅射功能。 1.4全自动控制功能。 2.设备主要用途与特点 2.1设备适用于大学、研究院所、企业研发机构通用的较大样品专用磁控溅射科研及小批量生产。 2.2设备支持三只Φ4英寸磁控靶倾斜靶方式共溅射镀膜，均匀区内可制备最大达Φ8英寸（200mm）或更大样品镀膜及小批量生产。 2.3样品上置，自下而上溅射，样品可高温加热。

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。