4寸单面光刻机

◆曝光类型：单面 ◆曝光面积：≥φ115mm ◆曝光不均匀性：≤±3% ◆曝光强度：≥20mw/cm2 ◆曝光分辨率：1μm ◆曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光模式 ◆扫描范围：X:±40mm   Y:±35mm ◆对准范围：X、Y粗调±3mm、细调±0.3mm Q粗调±15°、细调±3° ◆对准精度：1μm ◆分离量：0～50μm可调 ◆接触－分离漂移：≤1μm ◆密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光； ◆找平机构：三点式自动找平； ◆显微系统：双视场CCD系统，显微镜45X～ 300X连续变倍（物镜1.125X～7.5X），双 物镜距离可调范围：11mm～100 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器； ◆掩模版尺寸：2.5″×2.5″(或3″×3″) 4″×4″、5″×5″ ◆基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″ ◆基片厚度：≤5 mm ◆曝光灯功率：直流350W ◆曝光定时：0～999.9秒可调 ◆对准方式：切斯曼对准机构 ◆曝光头转位：气动

1

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。