等离子增强化学气相沉积系统

1、反应腔本底真空： ≤ 1×10-6 mbar； 2、反应腔衬底加热温度：RT~350℃； 3、射频发生器用于驱动ICP源（13.56 MHz，1200 W）； 4、样品尺寸：≤8英寸； 5、样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）； 6、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅和非晶硅等； 7、薄膜厚度均匀性：

1、采用电感耦合等离子体，等离子体密度高； 2、衬底-电极导热：背氦冷却； 3、衬底温度低：RT-350℃，典型值为130℃； 4、可用CF4和O2干法清洗腔体； 5、薄膜致密性好； 6、台阶覆盖能力好； 7、可沉积纯氧化硅。 应用领域:适用于低温条件下8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅和非晶硅膜的沉积。

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。