电热耦合等离子刻蚀机

1. 本底真空：< 1 x 10-6 mbar (7.6 x 10-4 mTorr) 2. 7路气体：六氟化硫、三氟甲烷、四氟化碳、氩气、氧气、氮气（吹扫用）、氦气（背冷却用） 3. 样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）。取-放系统保证了衬底操作的洁净与安全。预真空室有可编程的吹扫循环工艺、确保操作者安全和腔室洁净。 4. 一个射频发生器（13.56 MHz, 600 W）用于下电极偏置，另一个用于驱动ICP源（13.56 MHz, 1200 W） 5. 样品尺寸：≤8英寸

特别适用于刻蚀在半导体（例如硅）衬底上的微纳结构和介质膜。

电子信息

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。