刻蚀机

适用于6英寸及以下硅片；气体SF6 ，C4F8 ， O2。 刻蚀深度：50 微米 关注图形： 2.5 微米宽沟槽 掩膜： 1.5 微米厚 SiO2 掩膜图形的硅暴露面积：小于20% 刻蚀速度： 2 微米/分钟 SiO2 的选择比：>100:1 测壁角度：90±1 度 测壁粗糙度 (scallops)：

主要硅深槽刻蚀，也可满足氧化硅、氮化硅、碳化硅等的刻蚀

先进制造

客户提前10天申请，商榷检定日期，检定人员到现场检定，待检定合格后方可使用。