电感耦合等离子刻蚀机

电感耦合等离子刻蚀机

inductively coupled plasma etching

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

工程与技术科学基础学科,信息与系统科学相关工程与技术,电子与通信技术

1. Si etch Etch rate>300nm/min；Selectivity (to PR)>3:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 ； 2. SiO2 etch Etch rate>100nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 ； 3. Si3N4 etch Etch rate>70nm/min；Selectivity (to Cr)>20:1；Sidewall angle>85°，均匀性 ：<+/-5% over 4”@10mm去边 ；

通过感应耦合（ICP）方式产生高密度高功率等离子体，能兼容硅，氧化硅和氮化硅刻蚀工艺，实现干法刻蚀加工

适用于8英寸及以下晶圆，配置刻蚀气体（O2、CF4、CHF3、SF6、Ar、N2）实现硅，氧化硅，氮化硅干法刻蚀

1、图形刻蚀：600元/小时； 2、其他根据具体加工需求，面议。

1、用户独立使用仪器前需在仪器共享平台网站上报名相关仪器的培训，仪器管理员培训考核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊测试需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；