原子层沉积系统

原子层沉积系统

Atomic layer deposition

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

物理学,化学

1、适用于最大8英寸晶圆、并向下兼容6英寸、4英寸、更小的晶圆和不规则碎片； 2、工艺温度：室温–500°C，控制精度在±1 ℃； 3、设备配3路液态源，配2路加热源，最高加热温度为200 ℃，控制精度为±1 ℃，配2路气体源，分别为NH3和O3； 4、膜厚均匀性（片内）：≤±2% (4英寸)；膜厚重复性（片间）：≤±2%； 5、真空腔外壁为全冷壁，在设备的正常运行时，真空腔外壁温度不超过60 ℃；

沉积SiO2, Al2O3, TiO2, TiN, AlN, HfO2等薄膜

服务集成电路、半导体器件、光电子器件、光学元件、MEMS、生物探测器等

1、薄膜生长：800元/小时； 2、其他根据具体加工需求，面议

1、用户独立使用仪器前需先进行仪器的培训，仪器管理员培训考核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊测试需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；