磁控溅射镀膜系统

磁控溅射镀膜系统

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工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

工程与技术科学基础学科,电子与通信技术

3.1溅射室尺寸：≥Φ500mm*H420mm 3.2Load-lock室尺寸：≥L400mm*W350mm*H200mm 3.3送取样品方式：自动；机械手精度：≤0.1mm；机械手悬垂：≤0.5mm； 3.4最大送样、取样样品尺寸不小于Φ8英寸 3.5极限真空度： ？ 真空镀膜室：≤6.7*10-5Pa； ？ Load-lock室：≤1.0*10-1Pa； 3.6镀膜室系统漏率：5*10-7Pa.l/s 3.7镀膜室静态升压：系统停泵关机后12小时后，真空度≤5Pa 3.8系3.9磁控靶配置： ？ 带角度调节Φ100mm磁控靶3只 ？ 角度调节精度：≤1° ？ 溅射距离调...

通过磁控溅射技术沉积：金属材料、非金属、金属化合物、非金属化合物、半导体材料薄膜。 2.2磁控溅射方式：射频磁控溅射方式镀膜；直流磁控溅射方式镀膜。 2.3溅射材料：包括但不限于氧化物、氮化物、金属、绝缘体、半导体反应溅射功能。 2.4全自动控制功能。 2.5设备带有高真空load-lock室，支持自动送取样品。 2.6设备支持三只Φ100mm磁控靶倾斜靶方式共溅射镀膜，均匀区内至少可制备最大达Φ8英寸大样品镀膜。 2.7样品下置，自上而下溅射，样品可高温加热。加热温度≥600℃ 2.8设备可实现样品原位等离子体预清洗，提高镀膜粘附强度。

半导体行业

680元/小时

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