等离子深硅刻蚀机

等离子深硅刻蚀机

无

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

信息与系统科学相关工程与技术,电子与通信技术

考核指标Specification 10 um直径孔刻蚀 刻蚀深度 depth 100 um 最高深宽比能力 70:1 刻蚀速率 etch rate >8 um/min 粗糙度 scallop <50 nm 选择比 sel to PR >60:1 片内刻蚀均匀性 Etch rate uniformity within wafer <2% 片间刻蚀均匀性 Etch rate uniformity wafer to wafer <2% 刻蚀剖面角度 profile angle 90+ 0.5 Degree 残留物、损伤 residue/pittin...

本设备主要用于TSV封装中的深硅刻蚀

国家集成电路产教融合平台深硅刻蚀培训

开机费468元+机时补贴费52元+材料费260元

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。