离子刻蚀机

离子刻蚀机

Reactive Ion Etch

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术

1. 刻蚀材料：Si/SiO2/SiNx/石英/蓝宝石/Al等材料 2. 样片尺寸：直径100 mm，兼容4英寸及以下尺寸样片与碎片 3. 真空系统：本底真空优于7.6×10-3 Pa； 4. 刻蚀工艺的均匀性：4英寸内≤ ±5% 5. 设备尺寸： ≤800mm×800 mm×1100mm

机台可以实现以下材料刻蚀： （1） 硅基材料（如：Si、Poly-Si、SiNx、SiO2等） （2） 金属（如W、Ti、Mo、Al、Ni、Cr等） （3） III-V化合物半导体（GaAs、GaN等） （4） 其它材料（如：金属氧化物、光刻胶）

国家产教研融合平台-ICP培训

开机固定费150+开机费110+机时补贴40+材料费200

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。