原子层沉积机

原子层沉积机

Atomic Layer Deposition

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术

1、内外双腔独立的腔室结构； 2、外腔：真空加热腔体，对整个内腔进行加热，保持真空； 3、内腔：最大可放直径6寸样品,向下兼容。需要维护时，可直接将整个内腔取下更换维护。压差自压合机构可使内腔腔盖与内腔腔体压自动密封； 4、可供用户自行更换的多种内腔：铝、石英、石墨包蓝宝石；. 5、反应温度：最高500℃，控制精度±1℃； 6、前驱体系统含1路加热液态前驱体源、1路鼓泡源、1路臭氧源，配置两路载气系统； 7、前驱体源ALD阀采用swagelok高速隔膜阀（响应精度＜10ms），连接件及管路、手动阀均采用swagelok件，管路自清洗。 8、配置高性能真空泵，整机极限真空＜5...

主要用于集成电路器件制备-high K介质层、超薄氧化物、氮化物薄膜等的制备

主要用于集成电路器件制备-科研及教学

开机固定费0+开机费97+机时补贴费20+材料费53

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。