原子层沉积机

原子层沉积机

Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术

1、腔室：含6寸样品台的沉积腔室，兼容小尺寸样品； 2、反应温度：最高400℃，控制精度±1℃； 3、前驱体系统含2路加热液态前驱体源、1路常温源、1路鼓泡源，配置两路载气系统； 4、前驱体源ALD阀采用swagelok高速隔膜阀（响应精度＜10ms），连接件及管路、手动阀均采用swagelok件，管路自清洗。 5、远程 ICP 感应耦合等离子体系统，配有独立的辐射加热源加热等离子体发生腔室， 最高加热温度150℃，温度控制精度±1℃； 6、ICP系统配置13.56MHz自动匹配射频电源，功率0-300W； 7、可通入3种等离子体气源：氩气、氧气、氨气，配置相应的流量计。 ...

主要用于集成电路器件制备-high K介质层、超薄氧化物、氮化物薄膜等的制备

主要用于集成电路器件制备-科研及教学

开机固定费0+开机费124+机时补贴20+材料费56

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。