电感耦合等离子体增强化学气相沉积

电感耦合等离子体增强化学气相沉积

ICPECVD PLASMA DEPOSITION SYSTEM

工艺实验设备>加工工艺实验设备>电加工工艺实验设备

物理学,材料科学,能源科学技术

1、适用于最大8英寸晶圆，并向下兼容6英寸、4英寸和更小不规则片； 2、工作温度：室温~300°C，典型沉积温度130°C； 3、ICP功率源13.56MHz，~1200W；下电极偏压源13.56Mhz，~300W； 4、膜厚均匀性(片内)≤±3%(4'')， ≤±5%(8'') ； 5、膜厚重复性(片间)≤±3%；

可沉积高质量的SiO2, Si3N4和SiOxNy等绝缘介质薄膜材料，也可沉积非晶态的碳化硅a-SiC薄膜

等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小;膜的厚度及成分均匀性好;膜组织致密、针孔少;膜层的附着力强;应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。适用于薄膜材料类的加工

1、薄膜生长：700元/小时； 2、其他根据具体加工需求面议。

1、用户独立使用仪器前需在仪器共享平台网站上报名相关仪器的培训，仪器管理员培训考核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊加工需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；