分子束外延薄膜制备系统

分子束外延薄膜制备系统

Molecular beam epitaxy

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

物理学,材料科学,能源科学技术

1、适用1英寸及以下衬底； 2、衬底加热可达950℃； 3、配备3套低温蒸发源（100~1100℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc 4、配套2套中温蒸发源（300~1500℃）,控温精度±0.1℃，坩埚容量10cc 5、腔体本底真空优于5x10-10mbar（完全烘烤后）

可外延生长Pt, Au, Pd等金属单晶薄膜，Ga2O3, ITO, TiO2等氧化物半导体薄膜以及GaN, InN等半导体薄膜

用于二维材料、量子器件、超导、半导体、纳米器件、光学及其他材料薄膜沉积研发

1、薄膜生长：500元/小时； 2、其他根据具体加工需求面议

1、用户独立使用仪器前需在仪器共享平台网站上报名相关仪器的培训，仪器管理员培训考核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊测试需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；