快速退火炉

快速退火炉

Rapid Thermal Process System

工艺实验设备>加工工艺实验设备>热处理加工工艺实验设备

物理学

Wafer sizes:2″，3″，4″,5″ and 6″wafers；Ramp up rate:Programmable,10℃ to 200℃ per second; Recommended steady state duration:0-300 seconds per step;Ramp down rate:Programmable,10℃ to 250℃ per second.Ramp down rate is temperature-and-radiation-dependent and the maximum is 125℃ per second.Recommended steady state temperature range:150℃-1150℃.ERP temperature accuracy:+-1℃，when calibrated against an instrumented thermocouple wafer.

通过控制可控硅通电量，调节卤素灯管的光强，使半导体晶片在设定时间内达到设定的温度，利用冷却系统让半导体晶片快速退火。

科研用，专用于半导体晶片的快速退火

280元/小时

无