晶体生长控制系统

晶体生长控制系统

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半导体物理学

1. 极限真空控制:优于6.6×10-4 Pa 2. 坩埚杆升降机构控制: 移动距离大于350 mm 3. 炉膛系统漏率控制: ≤8×10-10 Pa？m3？s-1 4. 控压范围: 10～9900 Pa 5. 流量控制: 10～200 ml/min；2～20 ml/min 6. 电源额定电压及频率: 3/PE AC 380V 50Hz 7. 额定总功率: ≤25 KW 2.5 KHz 8. 温场: 控制系统含温场 9. 加热控制: 感应线圈内置

该控制系统可实现机械泵、电磁阀、闸板阀、烘烤、真空室上盖的升降控制、气体流量的配比，以及真空室内工作压力曲线设定与压力自动控制、籽晶杆拉送系统和坩埚杆拉送系统自动控制、中频电源加热功率控制、系统数据记录等。

半导体材料晶体生长

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