氧化物磁控溅射系统

氧化物磁控溅射系统

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工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

微电子学

1.主腔体真空度: ≤7x10-6 Pa; 溅射室25分钟可达到6.6x10-4 Pa。系统停泵关机12小时后真空度≤10Pa。 2.备有传样品室，真空度≤5x10-5 Pa; 3.基底4寸衬底，向下兼容，自转速度5-20转/分钟连续可调。基底可升温≥800℃; 温控精度1度，连续可调。靶材与基底距离90-130mm可调。 4. 至少三个靶位，靶材尺寸2寸，其中一个永磁靶。 5. 两套电源：1个 RF，功率600W； 1个DC电源；功率500W （再预留1-2个未来的靶位） 6. 至少配三路气体：Ar, N2, O2。各路均有MFC控制：0-20sccm和0-100scc...

可用于半导体材料生长、金属材料沉积、氧化物与其他绝缘介质层的溅射生长。

主要服务集成电路、电子科学与技术领域，应用范围包括半导体材料生长、金属材料沉积、氧化物与其他绝缘介质层的溅射生长。

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