化学机械研磨机

化学机械研磨机

无

工艺实验设备>加工工艺实验设备>机加工工艺实验设备

信息与系统科学相关工程与技术,电子与通信技术

1) 机台可研磨晶元尺寸：4寸/6吋 2) 机台研磨速率：Oxide rate 能达到2500+/-400A 3) 机台研麿均匀性（NU）：≤10% 4) 抛光盘转速为：0-120RPM 5) 抛光头转速：0-120RPM，压力调整范围：0-14PSI 6) 修整器转速：0-100RPM，压力：0-14PSI 7） 研磨液流速控制范围为：0-200ML/min

晶圆表面平坦化、晶圆减薄、表面抛光等

用于厦门大学国家产教融合平台，第三代半导体、特色工艺与先进封装子平台教学与科研用途，此设备主要应用于晶圆表面平坦化制程工艺，亦可作为晶圆减薄、表面抛光工艺用。

开机费185元+机时补贴费40元+材料费315元

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。