化学气相淀积设备（PECVD)

化学气相淀积设备（PECVD)

无

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术

1) 机台可处理圆片尺寸：8寸 2) 可以淀积二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅三种材料 3) 机台淀积速率：SiNx/SiO2：>7000？/min 4) 机台成膜片内均匀性（Non-Uniformity）：SiNx/SiO2 ≦2% （1sigma, EE6mm） 5) 成膜片间重复性WTW (1s, 6mm EE)：SiNx/SiO2 ≦2% （1sigma, EE6mm） 6) 成膜折射率(RI) SiO2:1.46 ± 0.02； SiNx:2 ± 0.02 7） 膜层应力范围： SiO2:0～-100 MPa； SiNx:0～-200 MPa 8） 机台稳定性...

8寸晶圆表面介质膜成膜制程工艺

集成电路先进封装、半导体加工等领域，主要应用于晶圆表面介质膜成膜制程工艺，在亚微米半导体制造中，有着广泛的应用, 是薄膜制程的主体设备。

结合项目情况制定。

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。