CuTi溅射机

CuTi溅射机

无

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术

溅射圆片尺寸 8吋 设备配置 1个Degas腔；1个Pre-clean腔；1个PVD Ti腔；1个PVD Cu腔。 8吋机台市场占有率 >25% Ti沉积速率 >1500A/min Cu沉积速率 >3000A/min Ti膜层均匀性 <4.5% Cu膜层均匀性 <4.5% Preclean 刻蚀速率 ＞260A/min Preclean 刻蚀均匀性 ≤6% 平均稳定运行时间（Uptime） > 85% 平均无故障工作时间（MTBF） ≥ 168 Hrs 平均修复时间（MTTR） < 4 Hrs 圆片无异常周期（Wafer Cycle...

物理气相溅射机（PVD）设备主要用于8吋圆片级先进封装中的Ti/Cu金属薄膜沉积。随着摩尔定律发展趋缓，三维先进封装成为半导体发展重要手段，圆片级封装是先进封装的核心技术。其中PVD是圆片级封装必不可少的工艺，通过PVD工艺获得Ti/Cu 金属薄膜，为后续电镀线路（RDL）、互连凸点（Bumping）提供种子层。Ti/Cu金属层需具备致密结构、高均匀性、低沉积温度、对晶圆图形侧壁有一定覆盖率，保证种子层的连续，同时Ti/Cu膜层与衬底有较好的粘附力等要求。

集成电路先进封装领域；用于学生实训、科学研究和技术攻关应用。

结合项目情况制定。

使用需通过实验室安全准入考试，使用前需接受安全操作培训。