微纳米器件表面氧化及镀膜系统

微纳米器件表面氧化及镀膜系统

无

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化学

微纳器件表面氧化处理及镀膜系统 1.工艺配置要求 LPCVD 工艺：单管，6 英寸,自动送片：悬臂, 适用晶片4"-6";在低压状态下，分子平均自由程长，气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定均匀固体膜（如化硅）。2.氮化硅淀积（Si3N4）：典型工艺气路3.二氧化硅淀积（SiO2）：提供典型工艺气路4.多晶硅淀积（P-Si）5.界面人机关系良好：彩色液晶对话窗口；控制过程全自动，勿需人工干预6.测温范围：室温～1600℃ ；自动恒温区、具有PID 自整定功能，温度曲线的生、恒、降全自动7.数据输入：触摸屏软件盘/键盘/鼠标均可；报警功能：全功能的安全监测及报警功能；8.可存储20+条工艺曲线，每条工艺曲线最多可达几十步。过程参数的记录，历史曲线、报警记录等9. 配置对应工艺气路10.可显示当前工艺参数、工作状态：如炉温、设定温度、压力、功率输出大小、流量、舟的位置、阀门状态等等11. 工艺管路采用进口阀门管见组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用电/化学抛光管路），流量控制采用质量流量计（MFC）进口

氮化硅薄膜沉积，微纳加工工艺处理，用于沉积纳米级氧化硅薄膜和氮化硅薄膜。

半导体加工，薄膜沉积，微纳加工工艺

500元/小时

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