晶圆级对准光刻机

晶圆级对准光刻机

Mask Aligner

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物理学

曝光光源系统： 光束尺寸：具有8英寸范围的腔体和光路 LED光源 均匀性：光强均匀性：≤±2.5% （8英寸范围@365nm） 波长范围：350~450nm 输出功率：LED灯，精度达±2%, 可调整范围20%-100% 强度：强度≥35 mW/cm2 (UV365nm )（8英寸范围内） UV强度测量计，包括双波段 套刻精度：正面套刻精度±0.5 um；背面套刻精度：±2um； 掩模对准系统： 掩模板架：3套，5×5英寸、7×7英寸、9×9英寸 样品夹具：真空夹具，背对准，配2英寸、4英寸、6英寸、8英寸夹具 键合对位夹具：4英寸、6英寸、8英寸对应的夹具；兼容2英寸...

用于在各种材质的晶圆或者小碎片衬底上微米级别图形加工，在衬底材料上旋涂光刻胶等光敏材料，在光刻机上按照掩模版的图案进行曝光，曝光后的衬底材料经过显影呈现出与掩模版相同或相反的图案。

光刻机主要用于基于掩模的光刻胶精细曝光（一般在微米分辨率），用于在各种基板上加工微细图案以及制作半导体器件。在 MEMS、先进封装、三维封装、化合物半导体、功率器件、太阳能、纳米技术和晶圆片级光学系统等领域的光刻应用。

1、图形加工：800元/小时； 2、其他根据具体测试需求面议。

1、用户独立使用仪器前需在仪器共享平台网站上报名相关仪器的培训，仪器管理员培训考 核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊测试需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；