晶圆级键合机

晶圆级键合机

Wafer Bonder

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

物理学

支持各种厚度的垫片，支持依次将垫片移出的工艺，保证键合对准精度。 系统可支持8寸片的键合工艺包括：阳极键合，Si-Si熔融直接键合，热压键合如共晶键合，金属扩散键合，中间黏附层键合和玻璃胶键合等所有热压键合工艺。 设备配有真空系统，由干泵、分子泵、真空规及真空控制系统组成，抽真空时间： 从1Bar到5×10-5mbar真空度时间<5min； 最高真空度1×10-5mbar；有较好的真空系统保护各泵的长时间稳定运行；并可控制腔体真空度；工艺腔室：配2路工艺气体，并配备流量控制器 阳极键合系统配置的静电电压必须满足以下范围中可调：0-2KV； 键合系统配置的键合加热盘中，...

8英寸及以下晶圆、小碎片的键合，键合类型包括阳极键合、直接键合、金属键合、胶键合、硅硅键合

本设备在2.5D和3D集成领域，MEMS（微电机系统）、晶圆级封装、LED和电力设备的制造和封装领域

1、后道封装：500元/小时； 2、其他根据具体测试需求面议。

1、用户独立使用仪器前需在仪器共享平台网站上报名相关仪器的培训，仪器管理员培训考 核通过后方可获得独立上机操作权限； 2、仪器使用前均需在仪器共享平台网站上进行预约，待审核通过后方可上机； 3、用户需按时上机，失约后将无法使用仪器； 4、其他特殊测试需求需提前联系仪器管理员，协商确认后方可委托送样测试；