FIB-SEM双束聚焦扫描电镜系统

FIB-SEM双束聚焦扫描电镜系统

FIB-SEM Dual-Beam System

分析仪器>电子光学仪器>扫描电镜

材料科学

1. 离子束及辅助气体注入系统技术要求： 1.1离子源种类：液态镓 (Ga) 离子源 1.2交叉点分辨率：≤ 2.5nm @ 30kV (在SEM-FIB的重合点) 1.3加速电压：500V - 30 kV 1.4束流强度： 1pA - 100nA 1.5离子源寿命：≥ 1000小时 1.6 可在离子束、电子束诱导下进行Pt和C的沉积 1.7离子束稳定时间≥72h 1.8 配备15孔光阑，压电马达驱动 1.9离子束视场：离子束：1 mm FOV@8 kV @束交叉点 2. 电子束技术要求： 2.1 电子枪类型：肖特基（ZrO/W）场发射灯丝 2.2在最佳工作距离分辨率：0....

为开展集成电路封装中的切割，成像和进行3D分析等新技术的研究提供了重要的研究方向。可从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息，从FIB加工上可以实现高质量和高速度的 TEM 薄片样品制备、集成电路解剖分析等具有挑战性的纳米加工任务

集成电路，半导体材料及器件测试分析，TEM制样

委托测试：1200/h

无