离子束刻蚀系统

离子束刻蚀系统

Ion beam etching system

工艺实验设备>电子工艺实验设备

物理学,材料科学,电子与通信技术

1. 适用于最大Φ100mm（4英寸）样品刻蚀，尺寸向下兼容； 2. Φ100mm（4英寸）范围内刻蚀不均匀性误差≤±3%； 3. 离子能量：100～1000 eV； 4. 离子束流：可调范围10～150 mA； 5. 离子源连续工作100小时以上，离子束输出性能无明显衰减； 6. 极限真空度：≤6.67×10-5 Pa； 7. 系统从大气（暴露大气时充干燥氮气）开始抽气，30分钟内可达到真空度5×10-4 Pa； 8. 批次内离子束流和离子能量稳定度RMS测试值不超过±2%/h，不同批次间工艺重复性95%以上。 9. 前级真空泵采用一台双级直连旋片式真空泵，抽速≥11L/...

本系统采用考夫曼离子源发射准直离子束对样品进行刻蚀，可以刻蚀金属、合金、非金属、氧化物、氮化物、碳化物、聚合物、陶瓷等各种材料，广泛应用于半导体、微电子、光电子、微机械、光栅、传感器、生物医学等领域的刻蚀加工。

凝聚态物理学、应用物理学、材料科学、微电子学

300元/时

无