等离子增强化学气相沉积系统
ICP PECVD
- 品牌：Sentech
- 型号：SI500D
- 产地：德国
- 启用日期：2016-06-11
- 学科领域：电子与通信技术,航空、航天科学技术
仪器信息
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等离子增强化学气相沉积系统
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ICP PECVD
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工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备
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电子与通信技术,航空、航天科学技术
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1、反应腔室本底真空： ≤ 1×10-6mbar。 2、反应腔衬底加热温度：20~350℃。 3、ICP源功率范围：100~1200W。 4、沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅。 5、厚度均匀性：±5%（8英寸片）。
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适用于低温条件下（130度）8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积。
服务信息
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低温条件下（130度）8寸片、4寸片及不规则片氧化硅、氮化硅、碳化硅膜的沉积
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800元/小时
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7天24小时开放预约，按机时计费
联系方式
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萨本栋微米纳米科学技术研究院
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吕文龙
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13959223602
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lwl1980@xmu.edu.cn
