电热耦合等离子刻蚀机

电热耦合等离子刻蚀机

ICP RIE

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术,航空、航天科学技术

1、本底真空：1x10-6mbar(7.6x10-4mTorr)。 2、6路气体：六氟化硫、三氟甲烷、氩气、氧气、氮气（吹扫用）、氦气（背冷却用）。 3、样品通过预真空室装载，碎片需使用载片器（托盘）。取-放系统保证了衬底操作的洁净与安全。预真空室有可编程的吹扫循环工艺、确保操作者安全和腔室洁净。 4、一个射频发生器（13.56 MHz, 600 W）用于下电极偏置，另一个用于驱动ICP源（13.56 MHz, 1200 W）。 5、样品尺寸：≤8英寸。

刻蚀在半导体（例如硅）衬底上的微纳结构和介质膜。

刻蚀在半导体（例如硅）衬底上的微纳结构和介质膜。

600元/小时

7天24小时对外开放预约，按使用机时收费