超高真空双生长室UHV/CVD系统
无
- 品牌：中科院沈阳科学仪器有限公司
- 型号：自制-4英寸
- 产地：中国
- 启用日期：2006-01-01
- 学科领域：物理学
仪器信息
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超高真空双生长室UHV/CVD系统
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无
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工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备
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物理学
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4英寸衬底外延生长，本底真空3*10(-8)Pa；衬底加热温度可达1000摄氏度。
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在超高真空腔室内在衬底上通过化学气相沉积的方法进行锗硅半导体薄膜单晶材料生长。可以进行N型或P型掺杂。
服务信息
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通过化学气相沉积的方法进行锗硅半导体薄膜单晶材料生长，可以进行N型或P型参杂。
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710元/时
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详见实验处网站
联系方式
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物理科学与技术学院
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汪建元
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0592-2187737
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wangjianyuan@xmu.edu.cn
