化学机械抛光机

化学机械抛光机

CMP

工艺实验设备>电子工艺实验设备>半导体集成电路工艺实验设备

电子与通信技术,航空、航天科学技术

1、采用去离子水粘贴硅片或采用真空吸附硅片进行抛光，摒弃传统的涂蜡粘贴硅片的方式，有利于抛光后硅片的清洗。 2、具备背压功能，能够显著提升抛光的均匀性。 3、具备抛光终点检测系统，防止过抛。 以SiO2 为例，WIWNU（片内不均匀性）≤3%，WTWNU（片内不均匀性）≤5%，RMS（20μm×20μm）小于0.4nm。

Si、SiC、Ge、GaN等半导体材料，SiO2、Si3N4、PSG、GeO、Al2O3等介质层以及Al普通金属和Au、Pt等惰性金属的化学机械抛光工艺。

Si、SiC、Ge、GaN等半导体材料，SiO2、Si3N4、PSG、GeO、Al2O3等介质层以及Al普通金属和Au、Pt等惰性金属的化学机械抛光工艺。

900元/小时

7天24小时对外开放预约，按机时收费